GaAs表面硫化学钝化的光调制反射谱研究

来源 :第六届全国固体薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhiyuanszy
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
硫化是迄今为止最好的钝GaAs表面的方法。该文利用一系列硫化学试剂对表面一本征层一重掺杂层(s-i-n<+>)结构的样品进行钝化,利用光调制反射谱观察到了大量的Franz-Keldysh振荡,并测量出了本征层的电场强度,从而研究了GaAs表面硫钝化前后费米能级的变化,并且比较了各种钝化方法的钝化效果。
其他文献
在高温和大栅电流下,我们对TiAl栅和TiPtAu栅MESFETs性能退化进行了比较研究。
该文运用多能谷电子隧穿理论和MonteCarlo模拟建立了异质谷间转移电子器件的动态工作模拟模型。在此基础上编制成模拟设计软件,对各类结构器件进行了模拟计算。发现了两种谷间
该文报导了MBE技术生长GaAs/AlGaAs量子阱材料制作的长红外探测器的研究结果。将实验测量值同理论计算结果进行了比较,分析了量子阱势垒的不对称问题。