论文部分内容阅读
有机场效应晶体管器件及其界面特性
【机 构】
:
中国科学院化学所,有机固体重点实验室,100190,北京
【出 处】
:
中国物理学会2012年秋季学术会议
【发表日期】
:
2012年期
其他文献
纤锌矿AlGaN/GaN 单异质结构是GaN 基高迁移率晶体管(HEMT)的基本结构,此类体系中的强自发极化和压电极化效应在界面处诱生的高浓度二维电子气(2DEG)对HEMT 的电学特性有重要
发光二极管(LED)在景观照明、指示显示等领域有着广泛的应用,主要有两种技术路线,荧光粉LED和RGB LED.本文首先分析了荧光粉白光LED存在的技术问题,指出无荧光粉白光LED是一
会议
近期美国俄勒冈健康科学大学的科学家们成功的从实验室培养的人体胚胎中提取了干细胞.这是一项重要的进展.这一突破将有望让科学家们得以利用干细胞技术治疗一系列的困难疾病
Pr0.7Ca0.3MnO3(PCMO)是最早用于电致电阻效应研究的材料之一.本文对Ta/ PCMO /Pt多层界面结构中Ta层的不同厚度对其整体电致电阻效应的影响进行了研究,利用高分辨透射电子显
The binary compound Cu3N in cubic anti-ReOx structure is an excellent host material that it can be doped by many other noble and transitional metals atoms to fa
会议
Conventional electronics relies on intrinsic properties of electrons,i.e.either charge or spin degrees of freedom.However,breakthroughs in future electronics ar
会议