【摘 要】
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纤锌矿AlGaN/GaN 单异质结构是GaN 基高迁移率晶体管(HEMT)的基本结构,此类体系中的强自发极化和压电极化效应在界面处诱生的高浓度二维电子气(2DEG)对HEMT 的电学特性有重要
【机 构】
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内蒙古大学物理科学与技术学院,呼和浩特 010021
【出 处】
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中国物理学会2012年秋季学术会议
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纤锌矿AlGaN/GaN 单异质结构是GaN 基高迁移率晶体管(HEMT)的基本结构,此类体系中的强自发极化和压电极化效应在界面处诱生的高浓度二维电子气(2DEG)对HEMT 的电学特性有重要影响.实验研究表明,[1,2] 纤锌矿AlGaN/GaN/AlGaN 双异质结构较传统的AlGaN/GaN 单异质结构具有更高的2EDG 浓度和电子迁移率,故在HEMT 应用方面更具潜力.在低温下,声学声子散射是影响电子迁移率的主要因素.
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