【摘 要】
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利用MOCVD在自支撑GaN体材料为衬底生长了紫光和蓝光激光器外延片。通过优化InGaN/GaN多量子阱和p-AlGaN的生长条件。提高了激光器件的性能。紫光激光器的阈值电流和阈值电压
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京 100083
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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利用MOCVD在自支撑GaN体材料为衬底生长了紫光和蓝光激光器外延片。通过优化InGaN/GaN多量子阱和p-AlGaN的生长条件。提高了激光器件的性能。紫光激光器的阈值电流和阈值电压分别为78mA(2.4KA/cm2)和6.8V。老化实验的结果表明:器件阈值电流的上升与内量子效率的下降紧密相关。本文还优化了蓝光激光器的波导结构,实现了国内首支蓝光激光器的室温脉冲电注入激射,激射波长为445nm。
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