MMDS在我国

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该文扼要地介绍了MMDS的主要特点,和在中国城市、乡村的应用情况,并分析了MMDS的技术进步和在中国的发展前景。
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该文报道了Si〈,0.7〉Ge〈,0.3〉/Si多量子阱PIN光电探测器的研制结果,反向偏压为4V时的暗电流密度为50pA/μm〈’2〉,量子效率在峰值0.95μm处为20℅,响应波长扩展到1.3μm以上,在1.3μm处量了效率为0.1℅。
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研究人员研究了ZnSe-ZnS多量子阱材料的瑞利散射,发现有如下特征:1.ZnS-ZnS多量子阱材料有较强的瑞利散射。特别是在共振区内瑞利散射有很大的增强。由此表明此材料荧光发射谱是非均匀加宽。2.散射
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