多量子阱材料相关论文
基于SOI上Ge虚衬底生长SiGe/Ge多量子阱材料制备了垂直共振腔发光二极管(RCLED).发现RCLED发光强度随注入电流密度增加出现非线性......
会议
利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)系统,在蓝宝石衬底上外廷生长以InGaN傲垒的多量子阱蓝光发光二极管(LED)材料。本文对比了GaN垒......
本文用拉曼散射实验对低温生长的AlGaAs/GaAs多量子阱光折变材料的特征,缺陷及其内在的相互关系进行了分析和讨论.......
量子级联激光器(Quantum Cascade Laser,QCL)是一种基于多周期多量子阱结构中子能级间电子跃迁的单极器件[1]。与传统的激光二......
采用MBE 外延生长技术,优化了InGaAsSb/AIGaAsSb多量子阱点材料的生长速率,生长温度和束流比等生长参数,获得了高质量的多量子......
本文利用新型全固源分子束外延技术,对1.55μm波段的InAsP/InGaAsP应变多量子阱材料的生长进行了研究.在此基础上生长了多量子阱激......
GaAs/A1GaAs多量子阱红外探测器是近几年出现的一种新型红外探测器,该文对GaAs/A1GaAs多量子阱材料及器件的基本原理作了介绍,并报导了十二元线列器件的性能......
高速电吸收调制DFB激光器(EML)由于啁啾低、功耗低、稳定性高、结构紧凑、体积小等特点,成为高速长途干线光通信网的主要光源,是发......
该论文由以下几部分组成:一、概述了InP基材料系的"能带工程"及在光纤通信中的特殊地位.二、对用MOCVD技术制备InAs/InP量子点的方......
从理论上研究缓冲层的厚度和特性对多量子阱材料(GaAs/Ga1-xAlxAs)中的共振态的影响,利用界面响应理论的格林函数方法,计算了局域......
采用LP-MOVPE在SiO2掩膜的InP衬底上实现了高质量的InGaAsP多量子阱(MQW)的选择区域生长(SAG),通过改变生长温度和生长压力,MQW的适用范围......
通过常规的透射光谱测量,提供一种获取GaAs/AlGaAs多量子阱材料中上电极层、多量子阱区域实际生长厚度的简便、无损伤的方法,这两个厚......
通过测量多量子阱材料的Raman散射谱,可以预测出:由该种材料制出的量子阱红外探测器的响应峰值波长.它既不需要实际制出量子阱红外......