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本文利用石英管型波等离子体化学气相沉积装置在Si衬底上沉积了纳米片状碳膜，利用电子束蒸镀方法在碳膜表面沉积了一层2nm厚的Ti膜。在高真空系统中测量了纳米片状碳膜覆盖Ti膜前后的场发射特性。纳米片状碳膜具有良好的场发射特性，表面覆盖2nmTi膜后阈值电场由2.6 V/μm下降为2.0 V/μm，当电场增加到9V/μm时，场发射电流由12.4mA/cm2增加为20.2 mA/cm2。Ti膜覆盖的纳米片状碳膜表面生成碳化钛而改性，使得场发射特性得到改善。