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采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,衬底温度在180℃沉积非晶硅锗薄膜材料及太阳电池。本文研究了反应气体中的锗。......
随着晶体硅太阳电池技术的不断发展,电池表面钝化变得越来越重要。本文介绍了几种晶体硅电池表面钝化方法,包括等离子体增强化学气相......
以SiH4和H2为反应气源,建立了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜的气相反应模型,模拟了典型的μc-Si:H......
本文研究了氩等离子体刻蚀处理等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备出的石墨烯片,有效地增强其场发射性能。通过较短的时间刻蚀处......
利用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法沉积了一系列不同晶化率的微晶硅薄膜太阳电池,并对其进行了光照老化实验.......
采用电晕放电增强化学气相沉积的方法在AAO模板中得到负载金属Pt的纳米碳管阵列,金属Pt被固定在纳米碳管的管壁中,但是它的两端可......
本研究采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法成功地沉积出掺杂(主要是磷、硼)纳米硅(nc-Si:H)薄膜.利用高分辨电镜(HREM)、Raman......
射频等离子增强化学气相沉积是制备优质薄膜的一种非常重要的方法,等离子体中输运参数与薄膜生长及其特性关系密切。我们综合利用自......
随着社会经济的不断发展,能源和环境的问题越来越突出,人们迫切要求发展可再生、无污染、低成本的清洁能源来改善现在的能源结构。太......
由于等离子体在低温下具有高活性的特点 ,等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)技术可显著降低薄膜沉积的温度范围。通常条件下 ,高质......