砷化镓高频PHEMT小功率晶体管

来源 :第六届全国分子束外延学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yangrocpe

【摘要】

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砷化镓PHEMT功率器件具有工作频率高,输出功率密度大,效率高,功率效益高等特点.本文研制的0.5um栅长GaAs PHEMT小功率晶体管,栅宽1mm,直流跨导250ms/mm,栅漏反向击穿电压大于

【作者】

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李拂晓;蒋幼泉;高建峰;黄念宁;徐中仓;

【机构】

：

南京大学器件研究所

【出处】

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第六届全国分子束外延学术会议

【发表日期】

：

2001年期

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砷化镓PHEMT功率器件具有工作频率高,输出功率密度大,效率高,功率效益高等特点.本文研制的0.5um栅长GaAs PHEMT小功率晶体管,栅宽1mm,直流跨导250ms/mm,栅漏反向击穿电压大于13V,在20GHz下最大可用增益8dB,X波段输出功率0.8W/mm,可应用于22GHz以下的窄带功率放大器和18GHz以下的宽带功放设计.

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