【摘 要】
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二维MoS2的强光学吸收和高载流子迁移特性,使其在新型光伏器件应用方面极具潜力。本工作采用磁控溅射沉积并结合等离子体退火技术制备MoS2薄膜（图1）,研究低缺陷密度MoS2薄膜的
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二维MoS2的强光学吸收和高载流子迁移特性,使其在新型光伏器件应用方面极具潜力。本工作采用磁控溅射沉积并结合等离子体退火技术制备MoS2薄膜（图1）,研究低缺陷密度MoS2薄膜的低温沉积工艺;研究了界面缺陷对p-Si/MoS2异质结光伏特性影响。采用SiOx为界面介质层设计了p-Si/SiOx/MoS 2结构的太阳能电池,器件转换效率为3.15%;通过引入MoOx层降低MoS2初始生长缺陷,电池开压、FF因子,内建电势和载流子收集效率都得到显著提升,电池转换效率4.62%（图2）。
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