【摘 要】
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Domain wall motion driven by spin waves(SWs)in magnetic nanostripes is investigated by micromagnetic simulations.It was found that the velocity of domain wall motion can be controlled by the changes o
【出 处】
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中国物理学会2013年秋季学术会议
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Domain wall motion driven by spin waves(SWs)in magnetic nanostripes is investigated by micromagnetic simulations.It was found that the velocity of domain wall motion can be controlled by the changes of the frequency of the propagating SWs,and a critical frequency(shown in figure 1)of SWs was observed.
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ZnO半导体材料由于其具备光电方面的优异特性而被广泛研究。而在ZnO母体中引入外来的掺杂离子从而改变电子结构与其相应的性质，更是拓展了ZnO在光电子(如p型掺杂)和自旋电子学(如过渡金属离子掺杂)等领域的潜在应用。
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本文以光敏材料酞菁铜(CuPc)和光场增强材料-有机配体金纳米颗粒(AuNPs)的共混层作为阳极缓冲层，研究了缓冲层中掺入金纳米颗粒对有机薄膜光伏器件(P3HT：PCBM)光电转换性能的增强作用。
半导体量子点中激子量子比特、带电激子的电子或空穴自旋量子比特，是实现量子计算的有力候选者。由于量子点是三维受限的零维结构，而且具有类似原子的分立能级，可以通过电场、磁场、及光场对其能级进行调制。
利用脉冲激光沉积技术在蓝宝石上衬底上交替沉积了ZnS/(CdS/ZnS)n(n=2,4,8),通过结构、形貌分析,100℃低温沉积的超晶格结构为六方相结构,其中ZnS和CdS层的厚度分别为30纳米和60纳米,透光率超过85％。
由于AlGaN/GaN/AlGaN 多层异质结构较AlxGa1-xN/GaN 单异质结构具有更高的二维电子气(2DEG)浓度和迁移率[1,2],而且非对称AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN 异质结构又与实际的高迁移率晶体管(HEMT)最为接近而广泛应用于HEMT 器件中。
3DTI 的特征是：体相绝缘,存在一个呈狄拉克费米子型线性色散关系的2DTISS1,2.由于受到时间反演对称性的保护,表面态上的电子可以无散射地在二维表面传输.但是,典型的几种3DTI,如：Bi2Te3、Bi2Se3 都因体相的缺陷呈现出金属性.这给研究三维拓扑绝缘体,和基于二维拓扑表面态的调控带来了困难.
Over the last decades,researchers have shown remarkable interests in oxides dilute magnetic semiconductors(ODMS)due to their applications in spintronic devices by utilizing both charge and spin [1].
一维纳米结构材料在构筑功能纳米器件和功能性元件方面有着巨大的诱惑力和广阔的应用前景，已成为科学领域的前沿和热点研究课题之一。特别是一维磁性纳米结构材料，由于它们的形状各向异性，通常可表现出独特的、可调的磁性，引起科学研究者的广泛关注。
High tunneling magnetoresistance(TMR)is now well known in Fe/MgO/Fe and CoFe(B)/MgO/CoFe(B)magnetic tunnel junctions(MTJs)[1].Besides single barrier MTJs(SBMTJs),double barrier MTJs(DBMTJs)have also b