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该实验采用还原气氛烧成Ｎ－型ＳｒＴｉＯ〈，３〉陶瓷片，将该征态聚苯胺的Ｎ－甲基咯烷酮（ＮＶＰ）溶液涂覆于陶瓷片上，烘干后，形成面与面连接的复合系统，在盐酸中将聚苯胺掺杂成型半导体，测量了此复合系统的电流－电压特性，通过扫描电子显微镜（ＳＥＭ）及俄歇电子能谱（ＡＥＳ）的分析，对界面状态与材料的电性能之间的关系作了分析从而推得这两种材料的复合可形成Ｐ－Ｎ异质结，并通过对复合工艺进行改善，比较复合材料的界面状态及Ｐ－Ｎ异质结的形成情况，通过测试曲线在加正反向电压时的变化情况，结合ＳＥＭ和ＡＥＳ分析，获得了异质结形成的最佳工艺条件。