离子束增强沉积相关论文
利用离子束增强沉积(IBED)技术成功地合成了大面积均匀AlN薄膜,分析表明薄膜中N/Al比为0.402:1,膜厚约250nm,表面电阻高于10Ω,绝......
详细讨论离子束增强沉积IBED技术的原理、技术优势和在薄膜生长中的应用。采用IBED在Si衬底上制备出了非晶态Al-N薄膜。结果发现，IB......
利用多功能离子束增强沉积(IBED)设备,在Ti6Al4V钛合金表面制备NiCr20膜层以提高其耐磨性能.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、辉......
SIMOX和Smart-cut SOI技术已走向商业化,但一般SOI结构是以SiO作为绝缘埋层,导致一些不利的影响(如自加热效应等),限制了其应用,为......
金属等离子体浸没离子注入与沉积(MePIIID)技术是材料表面改性领域极有发展前景的技术之一.本文介绍了最新研制的脉冲阴极弧等离子......
采用激光驱动光阴级和１００ｋＶ直流加速间隙可产生宽度为５０～１００ｐｓ的高亮度脉冲电子束．该装置主要由光阴极制备室和直流加速间隙组成．可以用化学气相沉......
本文介绍用离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）法在硅片上制备氮化硼（ＢＮ）薄膜及镀膜参数对膜中立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）含量的影响的试验研究，主要研究轰击离子束密、镀膜......
采用离子束增强沉积技术对金刚石热沉材料表面金属化进行了研究，制备了Ｔｉ／Ｎｉ／ＡｕＩｎ和Ｃｕ／ＡｕＩｎ金属化体系。采用俄歇、ＥＤＳ、ＸＲＤ和ＳＣＲＡＴＣＨ方法对膜层和界面进行了分析。......
阐述利用离子注入、离子束增强沉积、反应离子束溅射及反应离子束辅助沉积等方法制备碳化硅薄膜的实验结果，并报道利用等离子体增强......
Z-200离子束增强沉积装置能生产硬而耐蚀的薄膜涂层,这种涂层对基体的粘结性比一般的化学气相沉积(CVD)或离子束外延生产的涂层优......
用离子束增强沉积 (IBED)技术在 1Cr18Ni9不锈钢上制备了TiN薄膜 ,并用电化学原子力显微镜 (ECAFM) ,从纳米级空间分辨度对其在 3%......
考察了影响氧化钛薄膜血液相容性的因素,提出了对血液相容性机理的看法,认为血液相容性是表面能和功函数共同作用的结果.表面能决......
本文考察了工艺参数对离子束增强沉积（IBED）氮化硅、氮化钛薄膜的成分和微观组织的影响。测定了薄膜的硬度以及薄膜与基体之间结合力......
本文建立了一个适用于描述离子束增强沉积(Ion Beam Enhanced Deposition,即IBED)过程的Monte-Carlo计算机模拟程序。程序由离子注......
用离子束增强沉积的方法，在３０４不锈钢表面合成了Ａｌ及Ａｌ－Ｙ薄膜．通过在９５０℃、１０５０℃的恒温氧化和９５０℃的循环氧化实验发现，由于Ａｌ＿２Ｏ＿３保护膜的生成显著提高了３０４不锈......
“离子束增强沉积及其应用”科研成果通过鉴定中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室“八五”期间承担的国家８６３高技术项目“......
利用离子束增强沉积工艺，在硅基片上制备Si3N4／Si多层红外干涉滤波薄膜结果表明，N2+N的辅助轰击对于合成接近化学配比的Si3N4薄膜起了......
利用离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）技术制备了Ｃｒ－Ｎ薄膜，并对不同能量氮离子轰击所制备的薄膜组成进行了Ｘ射线衍射及光电子能谱分析，测定了涂层的断裂韧性......
利用高能量（＞１５ｋｅＶ）、脉冲氮离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）Ｆｅ－Ｎ磁性薄膜．合成了含有α－Ｆｅ、α″－Ｆｅ１６Ｎ２、γ′－Ｆｅ４Ｎ和ε－Ｆｅ２～３Ｎ相的纳米多晶薄膜．Ｆｅ－Ｎ薄膜的磁性取决于膜层的相结构及微观形......
采用Ｎ＋＋Ｃｒ＋多元离子束增强沉积合成（ＴｉＣｒ）Ｎ膜层，对膜层进行了ＡＥＳ、ＴＥＭ和ＸＲＤ分析．测试了膜基体系的力学性能和电化学性能．与普通物理气相沉积相比，多元离子束增......
用离子束增强沉积方法制备了ＳｉＮ薄膜，其中Ｓｉ由一束Ａｒ离子从Ｓｉ靶上溅射下来，在溅射沉积的同时，以一束Ｎ离子轰击正在沉积的膜层，于是获得了ＳｉＮ膜。......
介绍了一种新型表面改性技术——离子束增强沉积技术的原理、方法,综述了该技术在制备优良抗蚀膜层方面的优势及最新研究进展。
A......
评述了高温钛合金防氧化、氯脆、烧蚀及Ｔｉ－Ａｌ 金属间化合物高温氧化和防护方面的研究进展，并对今后防护涂层的研究提出了建议。
The re......
综述了离子束增强沉积法的原理、特点及在模具表面改性中的应用。
The principles, characteristics and application of ion bea......
利用离子束共混制备具有高硬度、高熔点及良好化学稳定性的C，B化合物（如：碳化硼、硼化钛等），对于采用离子束增强沉积技术进行材料表面改......
用离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）方法在金属间化合物ＴｉＡｌ上合成厚度为０．５，１，和２μｍ的氮化硅薄膜。所形成的薄膜为非晶态，膜与基底间存在混合的过渡区，膜与基底结......
介绍了等离子体源离子注入(PSII)的现状、特点、原理和应用效果。
The present situation, characteristics, principle and appl......
利用ＩＢＥＤ 技术，在Ｓｉ（１１１） 和ＧＣｒ１５ 轴承钢基体上沉积ＣｒＮ 镀层。研究Ｎ＋ ＋ Ｎ＋２ 离子轰击能量和Ｎｉｏｎｓ／Ｃｒａｔｏｍｓ 到达比对镀层组织结构的影响。结果表明，氮离子轰击能量的增加促......
利用离子束增强沉积技术， 在 Ｓｉ （１１１） 和 Ｇ Ｃｒ１５ 轴承钢基体上沉积 Ｃｒ Ｎ 镀层研究氮分压、 Ｎ＋ ＋ Ｎ＋２ 离子轰击能量和 Ｎｉｏｎｓ Ｃｒ ａｔｏｍｓ 到达比对镀层组织结构的......
9111001(20099)91110Q6(20104) Tribological ltnprove。ent of Ag New Bearing Materials(PTFE,Glass Films by Ion Beam Enhance......
Monte-Carlo计算机模拟程序,SIBL,用来描述离子束增强沉积(IBED)制备氧化硅薄膜的生长过程,提供薄膜组分的深度分布及界面混合等有......
用离子束增强沉积技术合成了氮化硅薄膜并研究了薄膜的组分、性能和结构.结果表明,离子束增强沉积生长的氮化硅薄膜的组分比,可借......
等离子体浸没式离子注入(Plasma Immersion Ion Implantation—PIII)是一种新型的材料表面改性技术。它克服了传统离子注入的溅射......
ＳＫＬ－２型ＣＯ敏感元件是一种球形多孔烧结体ＳｎＯ＜，２＞气敏元件，它是通过ＳｎＯ＜，２＞敏感浆涂布在机械绕制的同轴铂线圈上烧结而成。该元件在１００℃的工作温度下对１００ｐｐｍＣＯ的灵敏......
