【摘 要】
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利用硅烷(SiH4)、三甲基硼烷TMB(B(CH3)3)和氢气(H2),通过射频等离子体增强化学气相沉积方法(RF-PECVD)在石英衬底上制备了掺硼氢化非晶硅薄膜.研究了沉积温度,硼烷掺杂浓度,
【机 构】
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中国科学院太阳能热利用及光伏系统重点实验室, 中国科学院电工研究所, 北京 100190
【出 处】
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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
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利用硅烷(SiH4)、三甲基硼烷TMB(B(CH3)3)和氢气(H2),通过射频等离子体增强化学气相沉积方法(RF-PECVD)在石英衬底上制备了掺硼氢化非晶硅薄膜.研究了沉积温度,硼烷掺杂浓度,R=[TMB]/([SiH4]+[TMB])对非晶硅薄膜结构和光电特性的影响.薄膜的微结构,厚度和透过率分别通过拉曼光谱,台阶仪和光谱测试系统进行测量,薄膜的光、暗电导率通过铝共面电极方法在真空室中进行测量.实验结果表明,TMB 掺杂可提高非晶硅材料的沉积速率,降低光学带隙和光敏性,并抑制材料的结晶.一定程度的硼掺杂提高了非晶硅材料的暗电导率,但是,过多的硼掺杂会降低材料的暗电导率.
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