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采用玻璃熔融净化法在无磁场和2T静磁场下对CoSi金属间化合物进行深过冷处理，并采用高速摄影技术和红外测温技术对再辉过程进行原位观测。实验结果表明，当过冷度在75K-175K之间时。2T磁场下的枝晶生长速率明显小于无磁场下的枝晶生长速率。在此过冷度范围外，2T磁场下测得的枝晶生长速率与无磁场下的基本一致。分析认为,中等过冷度下枝晶生长速率的变化与磁场抑制熔体内部的对流有关。