【摘 要】
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偏氟乙烯基铁电聚合物因其高介电常数,高击穿场强等优异的电学性能在能量存储如高能电容的应用前景十分光明[1].其二元共聚物P (VDF-CTFE)和P (VDF-HFP)能量密度达到了17
【机 构】
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南京大学化学化工学院,南京市汉口路22号,210093
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偏氟乙烯基铁电聚合物因其高介电常数,高击穿场强等优异的电学性能在能量存储如高能电容的应用前景十分光明[1].其二元共聚物P (VDF-CTFE)和P (VDF-HFP)能量密度达到了17-25 J/cm3,而已工业化用于电容的聚丙烯(BOPP)只有2.5J/cm3.目前国际上该方向的研究思路是改变偏氟乙烯共聚物的晶体结构,主要方法是接枝、交联等化学手段和界面控制等物理方法,从而优化其电能储存特征,实现更高的储能密度,达到快速充放电的效果 [2].而实际上铁电高分子的结晶结构异常复杂,上述方法既难以准确调控其结构,对结果的解释也存在很大的随意性;因而细致研究铁电高分子的结晶过程就变得至关重要.通过DSC等方法,观察结晶过程可以发现,CTFE和HFP等第二组分会明显降低其成核与一次结晶生长速度,其过程受第二组分含量的影响;交联、纳米颗粒、接枝对晶体生长及其最终的凝聚态结构具有明显调控.我们的工作为高电能密度高分子材料的研究提供了一个有力的方法和新的视角.
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