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该文将介绍了３２×３２元长波碲镉汞混成焦平面器件研制及室温目标红外热成象演示。该器件采用ＭＢＥ碲镉汞薄膜材料、全平面离子注入成结工艺、Ｓｉ－ＣＭＯＳ读出电路、倒焊互联混成、背照射工和模式。最新结果为：Ｄ＊λ＞１×１０〈’１０〉ｃｍＨｚ〈’１／２〉Ｗ〈’－１〉，响应率不均匀性１２．４℅，有效象元数＞９８℅，ＮＥＴＤ〈’－〉０．１℃（ＦＯＶ＝６０°），响应波长８￣１０μｍ。该器件实现了室温目标红外热成象。该项工作处国内领先水平。