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该文将介绍了32×32元长波碲镉汞混成焦平面器件研制及室温目标红外热成象演示。该器件采用MBE碲镉汞薄膜材料、全平面离子注入成结工艺、Si-CMOS读出电路、倒焊互联混成、背照射工和模式。最新结果为:D*λ>1×10〈’10〉cmHz〈’1/2〉W〈’-1〉,响应率不均匀性12.4℅,有效象元数>98℅,NETD〈’-〉0.1℃(FOV=60°),响应波长8 ̄10μm。该器件实现了室温目标红外热成象。该项工作处国内领先水平。