场发射阵列阴极制作中的感应耦合等离子体刻蚀技术

来源 :中国电子学会真空电子学分会第十五届学术年会暨军用微波管研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xlr9900
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本文对于在Spindt型场发射阵列阴极制作过程中,应用高密度感应耦合等离子体(InductivelyCoupledPlasma)作为微细加工手段,进行了理论分析和工艺研究.讨论了刻蚀过程中的几个关键工艺参数,如感应耦合功率、刻蚀功率以及反应气压对于刻蚀速率和刻蚀质量的影响,摸索了得到理想的Mo栅极微孔阵列图形的工艺条件.
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