【摘 要】
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采用减压化学气相淀积(RPCVD)技术，通过控制组分渐变SiGe层的组分梯度，以及适当优化固定组分SiGe层的外延生长工艺，在弛豫Si1-χGeχ虚拟衬底上制备出具有低表面粗糙度和低
【机 构】
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清华大学 微电子学研究所,北京 100084
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
论文部分内容阅读
采用减压化学气相淀积(RPCVD)技术，通过控制组分渐变SiGe层的组分梯度，以及适当优化固定组分SiGe层的外延生长工艺，在弛豫Si1-χGeχ虚拟衬底上制备出具有低表面粗糙度和低位错密度的应变硅材料，以其为沟道材料制作得到的应变硅p-MOSFET表现出显著的性能提升。在室温下，相对于体硅器件，应变度为0.83％和1.2％的应变硅器件的低场空穴有效迁移率增强分别为62％和130％，在相同的过驱动电压下，饱和漏端电流增强分别为41％和75％，并且应变硅的器件亚阈值特性优于体硅器件。
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