论文部分内容阅读
为探讨表面复合对TF SOI nLIGBT开关特性的影响，在Si-SiO2界面态连续分布多项式插值近似的平带条件下，TF SOI nLIGBT漂移区表面小注入间接复合寿命模型及模拟研究的基础上，考虑表面堆积状态下能带向下弯曲对界面态分布的影响，建立了堆积状态下TF SOI nLIGBT漂移区表面小注入间接复合寿命模型，然后采用基于Matlab平台的循环嵌套矩阵算法进行模拟。