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为探讨表面复合对TF SOI nLIGBT开关特性的影响,在Si-SiO2界面态连续分布多项式插值近似的平带条件下,TF SOI nLIGBT漂移区表面小注入间接复合寿命模型及模拟研究的基础上,考虑表面堆积状态下能带向下弯曲对界面态分布的影响,建立了堆积状态下TF SOI nLIGBT漂移区表面小注入间接复合寿命模型,然后采用基于Matlab平台的循环嵌套矩阵算法进行模拟。