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以正硅酸乙酯(TEOS)为硅源，无水四氯化锆为锆源，氟化锂为矿化剂，炭黑为还原剂，采用非水解溶胶-凝胶法在700℃制备得到硅酸锆晶须，借助XRD、TEM和对应的SAED对制得的晶须进行了表征，并对非水解溶胶-凝胶法结合添加炭黑为还原剂制备硅酸锆晶须的生长机制进行了初探.结果表明：炭黑的引入促进了硅酸锆晶体一维生长为晶须，制得硅酸锆晶须的直径和长径比分别为30-40 nm和6-15.硅酸锆晶须的生长方向为[001]方向，即c轴方向.生长机制为位错生长机制.晶须生长的过程为：非水解溶胶-凝胶工艺极大地降低硅酸锆的合成温度，并确保硅酸锆在700℃有合适的晶体生长速率和三维生长动力差；炭黑的引入在硅酸锆晶体成核和生长过程中创造了一个对位错形成有利的还原气氛，进而促进硅酸锆晶须的一维择优生长.位错是硅酸锆晶须生长的动力.