【摘 要】
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本文介绍了一种SiGeHBT双基极偏置的线性低噪声放大器,这种放大器可以在不降低噪声系数的情况下提高电路的1dB压缩点.在小信号区域,传统的基极偏置电路为放大管的基极提供偏
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院,西安,710071
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
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本文介绍了一种SiGeHBT双基极偏置的线性低噪声放大器,这种放大器可以在不降低噪声系数的情况下提高电路的1dB压缩点.在小信号区域,传统的基极偏置电路为放大管的基极提供偏置电流.在大信号区域,可变电流偏置电路中的二极管为基极提供偏置电流.本文中采用的电路是将两种偏置同时为基极提供偏置电流,一种为传统的芯片集成电阻偏置,一种为芯片集成二极管偏置.最后用ADS软件对电路进行了仿真.
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