【摘 要】
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本文对SiC半导体材料特性作了比较和讨论,说明了SiC在微波大功率应用方面的优势.通过对SiPiN二极管经典理论的修正和补充提出了能够真正反映SiCPiN二极管特性的器件模型,如根
【机 构】
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西安电子科技大学微电子所,西安,710071
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
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本文对SiC半导体材料特性作了比较和讨论,说明了SiC在微波大功率应用方面的优势.通过对SiPiN二极管经典理论的修正和补充提出了能够真正反映SiCPiN二极管特性的器件模型,如根据SiC中存在的多重杂质能级而引入多级复合模型来描述其正向特性;反向特性的分析中考虑了反向电流与器件周长/面积比的关系等等.
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