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通过丝网将腐蚀浆料印刷到带有阻挡扩散层的硅片表面，腐蚀出一定宽度的正面栅线图形，此浆料印刷性好，腐蚀性强，清洗方便，无污染，可实现通过腐蚀阻挡层进行选择性扩散。
利用腐蚀阻挡层方法制作选择性发射极太阳能电池的研究
【摘 要】
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通过丝网将腐蚀浆料印刷到带有阻挡扩散层的硅片表面，腐蚀出一定宽度的正面栅线图形，此浆料印刷性好，腐蚀性强，清洗方便，无污染，可实现通过腐蚀阻挡层进行选择性扩散。
【机 构】
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常州亿晶光电科技有限公司,江苏 常州 213200
【出 处】
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第十一届中国光伏大会暨展览会
【发表日期】
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2010年6期
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太阳能光伏系统的投资回报取决于该系统每年的发电量，用户需要光伏系统具备高效、可靠和易维护等特性。当光伏系统发生部分或间歇性的遮挡时，会导致系统造成失配问题，即使光伏电池板的一小部分发生阴影遮挡也会导致系统发电量的大幅下跌。本文介绍了利用DC/DC变换器在电池板级实现分布式最大功率点跟踪(MPPT)，减轻阴影遮挡对系统发电效率的影响。
本文提出了一种全天候自适应双轴太阳能跟踪系统及其控制方法，通过摄像机采集图像进行分析，结合微处理器来精确控制太阳能电池板的姿态，在实现全天候太阳方位角和高度角精确跟踪，提高太阳能利用效率的同时，也可以提高光伏阵列在全天候，特别是在恶劣天气条件下的自适应能力，增强光伏电站对故障和遮挡物的自动识别能力，并起到防盗作用，增强了光伏电站的安全性和可靠性。
本文在研究BAPV并网发电系统综合应用相关技术的基础上，结合阜宁3MW屋顶光伏发电工程的现场实际情况，根据建设单位、接入系统设计单位的设计意图和技术要求，提出了BAPV并网光伏发电系统设计总体方案，并对设计要素及关键技术、节能减排效益、综合社会经济效益等进行详尽分析和阐述。
研究了多晶硅酸制绒产生的表面“暗纹”，通过LSM观察发现其在形成初期为彼此不相连的相邻腐蚀坑洞，随着腐蚀的加深，腐蚀坑洞不断变大，并逐渐连成一条线，最终形成“暗纹”。通过分析其微观形貌及与单晶硅缺陷比较，“暗纹”为一系列相邻位错的表面“露头”即小角晶界被酸腐蚀后相连而形成。同时各种测试结果显示“暗纹”区少子寿命降低、EL和QE响应变差，“暗纹”的数量及分布直接影响多晶硅太阳电池的电性能。
硅薄膜电池具有原材料丰富、低能耗、工艺简单等优势，然而其较低的转换效率和较差的稳定性使其在发电成本上并不具备优势。为此，国内外发展了新一代硅薄膜太阳电池技术——非晶硅/微晶硅叠层电池，以提高效率和稳定性。本文介绍了南开大学在新型非晶硅/微晶硅叠层电池研究方面的新进展。实现非晶硅/微晶硅叠层电池低成本制造的关键技术主要是高速沉积技术、陷光结构和提高效率的技术。本文研究了高速优质硅薄膜材料的获得，陷光
采用拉曼光谱、椭圆偏振光谱和原子力显微镜分析了甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)微晶硅(μc-si：H)薄膜的初期生长特性。研究发现在生长初期，由于硅烷的逆扩散和玻璃表面的非晶诱导作用使得在薄膜和玻璃界面产生一层非晶孵化层;且随着气压或沉积速率的增大，孵化层的厚度增加，采用滞后SiH4注入法和梯度法可有效的抑制孵化层的形成，并获得不同的初始晶化率。
研究了p层带隙对微晶硅太阳能电池性能的影响。微晶硅(μc-si)太阳能电池采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备。实验结果表明氢稀释比越高，温度越低，沉积的p层膜光学带隙越大。将不同带隙p层应用于微晶硅电池，我们发现p层带隙过大将增加i/p界面处的能带失配，导致较多的缺陷态，影响内建场的分布同时限制开路电压(Voc)，而p层带隙较小时，将降低电池的内建电势，同样影响Voc增加。因而优化
本文采用喷淋(shower-head)电极结合高频、高压和高功率的方法，进行了高速微晶硅材料的制备研究。首先关注了气压和电极间距这两个沉积参数对微晶硅生长速率和晶化率的影响，发现只有这两个参数达到较好匹配时，才有利于获得具有较高沉积速率和一定晶化率的材料。之后通过调整硅烷浓度对本征材料进行了进一步优化。将材料应用于电池，通过控制硅烷通入时间，一定程度解决了高速本征层孵化层过厚的问题，从而改善电池的
减少栽流子的表面复合损失，提高钝化效果，采用氧化硅-氮化硅双层薄膜结构是一种比较好的方法。本文通过热氧化方法和PECVD方法生长了氧化硅-氮化硅薄膜。并通过少子寿命测量的方法，研究了不同工艺条件下生长的氧化膜对硅片少子寿命的影响。
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