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本文对金属诱导单一方向横向晶化(MIUC)与不同能量脉冲的三倍频固体激光退火技术结合,提高多晶硅薄膜晶体管性能,进行了深入的探讨和研究.该薄膜晶体管在优化的激光能量下退火,可以使得场效应迁移率增加近一倍.器件的多种性能和参数的均匀性与激光退火条件密切相关,并成规律性变化.
金属诱导单一方向横向晶化和固体倍频激光退火技术在多晶硅薄膜晶体管中的应用
【摘 要】
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本文对金属诱导单一方向横向晶化(MIUC)与不同能量脉冲的三倍频固体激光退火技术结合,提高多晶硅薄膜晶体管性能,进行了深入的探讨和研究.该薄膜晶体管在优化的激光能量下退
【机 构】
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南开大学信息学院光电子所,天津,300071
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
【发表日期】
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2005年期
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