薄膜特性相关论文
对半径为微米量级的毛细管内液膜厚度为纳米量级的交界线区进行了分析,摄动求解了无量纲非线性微分方程.非极性工质形成的交界线区......
本文报道了用溅射后退火反应法在GaAs(110)衬底上制备的高质量GaN薄膜.XRD,XPS,TEM测量结果表明该方法制备的GaN是沿c轴方向生长的......
不同的成膜方式、成膜条件对有机半导体材料薄膜特性有很大的影响。比较了真空蒸镀和采用熔融猝冷制备的N,N-Diphenyl-N,N-bis(3-m......
本文主要采用超声喷雾技术制备了p型ZnO薄膜,关注了薄膜特性与衬底之间的关系.Hall测试结果显示不同衬底上ZnO薄膜的电学特性有较......
采用直流磁控溅射法，结合氧化法热处理在硅基底上制备VO2薄膜，通过SEM、XRD、XPS、FTIR红外透射率等测试，从多角度分析了氧化热处理对......
目前，(PEA)2SnI4是二维有机无机金属卤化物钙钛矿薄膜场效应晶体管中研究最广泛的沟道材料，其主要问题是空气中Sn2+氧化和钙钛矿薄膜......
在半导体薄膜生长过程中,需要对半导体薄膜的特性(如薄膜应力、生长率、厚度、折射率等)进行实时检测,以实现对其生长过程进行精密......
本文作为应用基础研究了射频溅射非晶硅薄膜的一些光电特性,着重在溅射条件与氢化处理(包括氢氩混合溅射及在溅射后对薄膜进行等......
研究直流磁控溅射中溅射功率对ＴｂＦｅＣＯ磁光薄膜成分均匀性、厚度均匀性、克尔旋转角θｋ和矫顽力Ｈｃ的影响。实验结果表明对于全金属互化物相（１００％ＩＭ）ＴｂＦｅＣｏ合......
论述了全固态电致变色薄膜器件的结构和变色机理，讨论了制备工艺参数对ｗｑ３薄膜和Ｖ２Ｏ５薄膜特性的影响。提出了一种新的电致变色薄膜的理化方......
半导体基片上薄膜应力的测试装置＊杨银堂付俊兴周端孙青（西安电子科技大学西安７１００７１）０引言应力是表征薄膜特性的一个重要参数。半导体器件中......
磁控溅射制备Cu-In合金薄膜,随后通过固态源硫化制备了CuInS2。采用XRD、SEM、紫外可见光分光光度计和霍尔效应测试仪分析了薄膜的......
通过精确的测量发现，分子束外延（ Ｍ Ｂ Ｅ） 生长的Ⅱ－ Ⅵ族三元合金碲硫锌（ Ｚｎ Ｓ１ － ｘ Ｔｅ ｘ）（０ ≤ｘ ≤１） 半导体单晶薄膜中 Ｚｎ 和 Ｔｅ 修正的俄歇参数α′随 ｘ 增......
用真空蒸发ＳｎＯ２－ＺｎＯ，获取超微粒结构的ＳｎＯ２－ＺｎＯ薄膜．实验发现ｗ（ＳｎＯ２）ｗ（ＺｎＯ）＝８０％２０％薄膜有较低的电阻率，对乙醇有较高的敏感性，是较好的酒敏材料．
SnO2-ZnO thin film was obt......
尽管常驻规的厚膜技术比薄膜技术稍微微廉价一些,但却代表了各种高级电路产品的极限:厚膜导线宽度在100微米以上,粗糙的表面和边......
本文介绍了 RF溅射制备湿度敏感膜技术 ,讨论了衬底温度、工作气体及压力、放电电压及时间对湿敏膜感湿特性的影响。实验结果表明 ......
编者 :Ｒ .Ｐ .Ａｇａｒｗａｌａ。 1 999年ＴｒａｎｓＴｅｃｈ公司出版。本书分为 1 0章 ,内容如下 :1 )讨论各种类型的激光驱动反应 ,其范围从纯热反应到特定键化学 ;2 )......
用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。用X射线衍射(XRD)、喇曼散射光谱(Raman)、能量色散谱......
采用低压化学气相淀积系统,分别采用硅烷和二氯二氢硅作为反应气体源与氨气反应,制备了S3N4薄膜,并对其特性进行了比较。实验结果......
采用射频磁控溅射法沉积制备了(002)ZnO/Al/Si复合结构。研究了Al薄膜对(002)ZnO/Al/Si复合结构的声表面波器件(SAWD)基片性能影响......
通过研究超薄Ni0.86Pt0.14金属硅化物薄膜的特性,提出采用310℃/60 s与480℃/10 s两步快速热退火(RTA)的工艺方案,形成的Ni(Pt)硅......
采用反应直流磁控溅射法在单晶硅(100)衬底上沉积纳米厚度的超薄NbN薄膜.通过X射线衍射(XRD),原子力显微镜(AFM),四探针电阻测......
采用诱导型耦合等离子体辅助直流磁控溅射法在石英玻璃片上反应沉积TiO_2薄膜,通过X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和紫外可......
用金属预制膜硫化法制备铜锌锡硫薄膜,分别采用了60,90,120和180 min的硫化时间进行硫化,考察了硫化时间对制备的Cu2ZnSnS4(CZTS)......
设计了一种射频电极作为基板支架的射频等离子体化学气相沉积系统.其温度可达700℃,负偏压是可调的.并以沉积的TiN膜的取向为例说......
利用元素合成法合成了具有单一黄铜矿结构的CuInSe_2(CIS)多晶材料。通过微处理机控制系统,控制蒸发CIS和Cu或控制蒸发CIS和Se制备......
本文着重研究了气氛对薄膜结晶性能、铁电性能的影响.结果发现,气体浓度对材料的结晶性以及铁电性能都有明显的影响.当Ar/O_2(mol)......
利用激光沉积技术，在ＳｒＴｉＯ３和Ｙ－ＺｒＯ２衬底上原位制备了（Ｂｉ，Ｐｂ）２Ｓｒ２ＣｕＯｘ薄膜．当衬底温度为Ｔｓ＝７０３℃，氧分压为１００ｍｔｏｒｒ时，Ｘ射线显示，生长的２２０１相（Ｂｉ，Ｐｂ）２Ｓｒ２ＣｕＯｘ薄膜具有Ｃ轴垂直于衬底表面的外延取相．我们对......
阐述了金刚石薄膜中成分、结构、夹杂尤其是化学与结构缺陷对热、电、光学、机械、化学性质的影响.介绍了薄膜品质检测、表征方法......
在玻璃基底上通过两次蒸发的新技术制备ＣｕｘＳ薄膜．硫在衬底温度为ｌ６０℃～２００℃时与淀积在衬底上的铜直接发生反应，生成ＣｕｘＳ薄膜．实验发现，生成的ＣｕｘＳ薄膜与衬......
分别研究了磁场线圈电流为 115 2和 137 7A以及 137 7A并在加热台下加放SmCo永磁体的方法 ,来改变单磁场线圈分散场MWECRCVD系统......
研究了真空蒸镀制备的玻璃基底上的ＮｉＴｉ薄膜的特性，并进行了成分分析、Ｘ射线衍射分析、电阻经时变化及电阻－温度特性测定结果表明：真空蒸......
详细研究了衬底温度对超声喷雾热分解工艺制备的大面积绒面SnO2:F薄膜的影响和薄膜微结构与薄膜电学、光学性能之间的关系。试验曲......
液晶作为一种最有前途的平板显示材料,其分子在液晶盒内的排列特性对显示器件的设计及制作无疑是极为重要的。衰减全反射法（简称ATR......
研究了离子束溅射(IBS)制备的Nb2O5薄膜的光学特性、应力、薄膜微结构等特性,系统地分析了辅助离子源的离子束能量和离子束流对薄......
用脉冲激光沉积法先在ＭｇＯ衬底上制备一层Ｓｒ２（ＡｌＴａ）Ｏ６薄膜作为过渡层，再制备（Ｙ０．６Ｈｏ０．４）Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导薄膜．新超导薄膜的零电阻温度Ｔｃ０为８９Ｋ，临界电流密度Ｊｃ为２．３×１０６Ａ／ｃｍ２（７７Ｋ），用Ｘ射线衍射仪及扫......
国际商业机械公司发展了通过快速冷却过程的激光退火.想法很简单:只要使用激光射线的特性,就能把一定材料的区域加热至高温.突然......
在将Nb型超导材料研制成超导元件之后,日本电信电话公用公司电讯研究试验室用磁控管溅射法研制临界温度Tc高达21.4～22.2°C,电特性......
为获得好的抗击穿特性和有效激发,交流电致发光(ac EL)器件需要高电容率,高绝缘强度的薄膜绝缘层。制做绝缘层时,温度、反应气体......
本文评论最通用的薄膜真空沉积方法,即:蒸发、溅射和离子涂渡法。略述每种方法的主要特点,同时就制得的薄膜特性、操作和经济等方......
