【摘 要】
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主要借助原子力显微镜研究在碳化硅的碳极性面上石墨烯的外延生长.通过使用可控限制升华的方法(Confinement Controlled Sublimation,CCS method),我们能够比较好的控制石墨
【机 构】
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北京市海淀区成府路209 号北京大学物理学院 100871
【出 处】
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中国物理学会2012年秋季学术会议
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主要借助原子力显微镜研究在碳化硅的碳极性面上石墨烯的外延生长.通过使用可控限制升华的方法(Confinement Controlled Sublimation,CCS method),我们能够比较好的控制石墨烯的外延生长,同时我们观察到了单层的形貌均匀的石墨烯生长及传播过程.通过对石墨烯形貌的分析,我们发现对于生长有着重要影响的两个因素:碳元素的扩散和化学计量要求.
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