硅外延相关论文
传统的功率器件一直是用纵向的低掺杂漂移层作为耐压支持层,但近年来,一种称为“超结”的CoolMOS器件逐渐流行,这种“超结”结构很......
研制了N-/P+异型、高祖、厚层硅外延材料,并对厚层外延及高用异型外延中出现的问题进行了讨论,提出了提高外延材料质量的方法。
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利用 UHV/CVD技术 ,在较低的温度下 ,在阳极氧化形成的双层多孔硅上 ,成功地生长了单晶性好、厚度均匀、电阻率分布合适的硅单晶外......
200 mm图形片外延工艺随着国内8英寸(1英寸=25.4 mm)生产线的发展而逐渐成熟起来.是硅外延发展的趋势之一.本文讨论通过气流设......
自1965年首先在石墨插层化合物(graphite intercalated compound,GIC)C8K中发现超导电性之后[1],人们相继在其他不同结构的碳材料......
本文介绍了用红外干涉法测试反型N/P硅外延层厚度,并与传统磨角染色法的测试数据进行了对比。用红外干涉法测试反型N/P硅外延层厚度......
本文对直拉单晶硅材料生长外延重掺硼的晶硅薄膜,并在高温下烧结与以往的铝吸杂比较,通过改变背场烧结的工艺条件来改善电池性能。并......
本文介绍了高压大电流晶体管电路外延片制备的主要技术关键,及控制杂质浓度分布、晶格结构完整性、电参数及厚度均匀性、重复性等......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
目前硅外延生长常用方法是以电子级二氯二氢硅为反应气体,采用化学气相沉积的气相外延法.二氯二氢硅生产工艺主要有歧化法、氢化法......
利用UHV/CVD技术,在较低的温度下,在阳极氧化形成的双层多孔硅上,成功地生长了单晶性好、厚度均匀、电阻率分布合适的硅单晶外延层。这......
河北普兴电子科技股份有限公司 【摘 要】外延炉内部对称性是炉子设计中非常重要的因素,本文主要从对称性出发来说明2061气流和......
报道了采用超高真空化学气相淀积 ( UHV/CVD)在多孔硅层上的单晶硅外延技术 .研究了两步阳极化法形成不同多孔度的双层多孔硅层及......
期刊
轻掺硅外延层/重掺衬底的过渡层结构、厚度均匀性、电阻率均匀性等关键参数与所制器件的性能密切相关。通常基于重掺衬底的轻掺硅......
结合高压IGBT器件用200mm硅外延材料的特性要求,从表面缺陷控制、滑移线控制,以及产品电阻率纵向结构分布控制等方面,研究了外延材......
LPE 3061作为硅外延材料领域的主流设备,得到了世界范围内的广泛使用。本文从LPE 3061实际生产经验出发,以减少实际生产中产品缺陷......
随着硅外延片在器件制造领域应用的不断扩展,对用于制作器件的外延片的要求也越来越高,其中最重要的是准确控制外延层电阻率及其均匀......
【正】 在定题服务过程中要不要建立一套完整的科技服务档案?如何建立科技服务档案?对于这一点,我们是深有感触的。下面谈一点粗浅......
研制了N^-/P^+异型,高阻,厚层硅外延材料,并对厚层外管及高阻异型外延中出现的问题进行了讨论,提出了提高外延材料质量的方法。......
本文综述了硅外延的三大发展趋势,指出降低外延温度是外延发展的迫切要求,同时比较了分子速外延(MBE)、光能增强化学汽相淀积(光CVD)、等离子体......
利用UHV/CVD技术,在较低的温度下,在阳极氧化形成的双层多孔硅上,成功地生长了单晶性好、厚度均匀、电阻率分布合适的硅单晶外延层。这为进一......
利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备,在掺As n^+型Si衬底上生长了掺Pn型Si外延层.用扩展电阻法分析了在不同的生长温度和PH3气体......
报道了采用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD0在多孔硅层上的单晶硅外延技术,研究了两步阳极化法形成不同多孔度的双层多孔硅层及外延前多孔硅进......
采用在阳极化反应时改变电流强度的办法,在高掺杂的P型硅(111)衬底上制备了具有不同多孔度的双层结构多孔硅层。用超高真空电子束蒸发......
用扫描电镜,透射电镜和二次离子质谱研究了硅外延片中的S坑缺陷。在S坑缺陷中观察到一种线度比通常S坑更大的浅底坑缺陷。研究表明S坑缺......
重掺衬底掺杂剂在硅外延过程中通过气相和固相扩散进入反应系统,不仅对当前反应产生自掺杂效应,而且还会对后续外延产生影响,即系......
本文提出了一种新的减小硅外延自掺杂影响的二步外延方法。利用该方法在均匀的重掺As衬底上外延,以10~(14)~10~(18)/cm~3浓度区域计......
本文采用附面层模型,对硅外延中的自稀释现象作了理论分析,分析了生长速率、气体流速及外延生长温度等因素对自稀释的影响.提出了......
为实现低温低压外延新工艺,建立了一台具有多项原位监控功能的新颖的超高真空CVD(chemicalvapordeposition)外延设备,并用此设备,(100)和(1......
高压As-MOS管用硅外延材料制备工艺的难点在于重掺砷(As)衬底外延的自掺杂和固态外扩散严重,外延电阻率和过渡区不易控制。在多片......
本文描述了硅外延层中的滑移线及其出现的规律.克服滑移线的关键是:使硅片中的应力降低到临界值以下.临界值应力与晶片的完整性和......
应用多物理场分析工具COMSOL Multiphysics软件中的磁场和固体传热两种模块,建立了平板式外延炉反应腔体的有限元模型。结合高频感......
采用在阳极化反应时改变电流强度的办法 ,在高掺杂的 P型硅 (111)衬底上制备了具有不同多孔度的双层结构多孔硅层 .用超高真空电子......
扩展电阻法利用测量纵向深度电阻率的变化获得外延片厚度。实际外延片测试过程中,经常发生扩展电阻测试仪测量硅外延片厚度误差较......
硅外延工艺化学气相沉积可以赋予材料表面一些特殊的性能,可用在刀具材料、航空材料、生物医用材料等领域,而且随着科学技术的发展......
轻掺硅外延层/重掺衬底结构作为现代电力电子器件的关键基础材料,其厚度均匀性、电阻率均匀性等关键参数与所制器件的性能密切相关......
<正> 一、引言金属有机化学气相淀积法(简称MOCVD法)是1968年由H.M.Manasevit等首先提出的。该法以挥发性金属有机物和气态的非金......
用扫描电镜、透射电镜和二次离子质谱研究了硅外延片中的S坑缺陷。在S坑缺陷中观察到一种线度比通常S坑更大的浅底坑缺陷。研究表明S坑......
半导体产业日新月异的背景下,产品品质的不断提升,而桶式外延设备由于自身结构特性,已不能适应硅外延产品的发展现状,特别是生产的......
通过理论计算,对VDMOS器件的外延层厚度和掺杂浓度进行了优化设计,探讨用于VDMOS的外延工艺,讨论了外延层厚度和过渡区的测试方法,......
超纯氢气 (大于 6N)是半导体硅外延等工艺必备的工艺气体。文章介绍了利用超低温吸附的方法提纯大流量超纯氢气的工作原理 ,设备制......