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AlGaN/GaN HEMT由于其具有高的击穿场强,高的饱和速度在高频大功率器件中具有显著的优势.实际应用中的GaN材料基本都是在蓝宝石、碳化硅、硅材料等异质衬底上外延获得,由于GaN薄膜和异质衬底之间存在大的晶格失配和热失配,因而在GaN外延薄膜中存在较高的位错密度(107-109cm-2),随着对器件性能和稳定性要求的逐步提高,异质外延获得的GaN材料中较高的缺陷密度还是困扰着人们.