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本文提出高K(介电常数)介质辅助耗尽的低阻UMOS(HK UMOS)。高浓度的n柱在导通时提供了一个低阻的电流通路,它可以通过小角度离子注入工艺实现,降低了工艺难度;在反向阻断时,n-可承担高阻断电压,且高K介质对n柱进行自适应辅助耗尽,调制体内电场分布,提高BV,并降低Ronsp。同时,HK UMOS克服了常规SJ器件对电荷非平衡敏感和工艺困难的两大问题。