论文部分内容阅读
本文提出高K(介电常数)介质辅助耗尽的低阻UMOS(HK UMOS)。高浓度的n柱在导通时提供了一个低阻的电流通路，它可以通过小角度离子注入工艺实现，降低了工艺难度;在反向阻断时，n-可承担高阻断电压，且高K介质对n柱进行自适应辅助耗尽，调制体内电场分布，提高BV，并降低Ronsp。同时，HK UMOS克服了常规SJ器件对电荷非平衡敏感和工艺困难的两大问题。