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该文提出了一种新颖的GaAs基p沟异质结场效应管（pHFET）概念，器件采用了In0.5Ga0.5P/GaAs异质系统及二维空穴气（2DHG）原理以改善GaAs的主穴输运特性。据此原理研制的器件可在室温下工作，其实验结果为：室温下，饱和电流Idss=61mA/mm，跨导gm=41mS/mm;77K下，饱和电流Idss=94mA／mm，跨导gm=61mS/mm。这一结果远好于国外同行采用AlGaAs／GaAs和AlGaAs/InGaAs异质系统取得的pHFET的早期结果。预计该器件在微波和数字电路中极佳的电流密度及高频增益，因而具有良好的应用潜力。