【摘 要】
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Controlling the magnetism by means of electric fields is a key issue for the future development of lowpowerspintronics.Usually,electric-field can control the magnetic materials by oxide-gate structure
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Controlling the magnetism by means of electric fields is a key issue for the future development of lowpowerspintronics.Usually,electric-field can control the magnetic materials by oxide-gate structures.But thisapproach has a low regulatory capacity drawback than a way of controlled on BaTiO3(BTO)by themagnetoelectricity coupling.FeGa alloy and BTO oxide are laminated to form heterostructure for highmagnetoelectricity.Ga could contribute to preferential magnetization along the <100> directions in FeGa alloyscreate anisotropy in the material,which is higher than the pure Fe.Here we report the magnetic control of FeGathin films on BaTiO3 substrate by electric field.
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随着微纳加工技术的发展，现在人们可以制作具有单畴形态的二维磁阻挫结构——用具有微纳米尺度的小磁条代替原子磁矩来制作人工自旋冰。人工自旋冰的尺度使其能够在实空间被观测，并通过改变体系温度和外加磁场来调控材料的热力学和动力学性质，从而提升对磁阻挫体系物理现象的认知，因此可以极大地丰富人们对自旋阻挫行为的深入研究，同时也对磁信息存储器和生物磁学传感器等新技术的调控提供了科学基础。
半导体中高效的自旋注入是实现各种半导体自旋电子学器件的前提条件。在铁磁层和半导体中间插入一层势垒层可以有效避免电导失配问题，提高自旋注入效率。为了实现发光二极管中零磁场下的自旋注入，需要制备具有垂直磁各项异性的自旋注入端。我们在InGaAs/GaAs基量子阱发光二极管上成功制备了具有垂直磁各向异性的MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO自旋注入端，实现了零场下的自旋注入。
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Magnetic semiconductors displaying both semiconducting and ferromagnetic properties have been regarded as the most promising materials for semiconductor spintronics [1].As one of the most extensively
自旋轨道耦合是一个相对论的结果，它将电子的自旋和电子的运动轨道耦合起来。所以，电子的自旋状态可以由自旋-轨道耦合作用来控制，这使全电学方法控制的自旋器件成为可能。因此，由自旋轨道耦合效应，平面电流可以改变磁性层。然而由自旋轨道耦合效应，通过非磁材料的平面电流产生的积累自旋取向，为垂直于膜面和电流的横向方向。
随着微纳米加工技术和表征手段的发展，纳米材料越来越受到人们管饭的关注。磁性纳米材料在很多领域存在潜在的应用，如超高密度存储、传感器、自旋逻辑器件、高频微波发生器。在高密度存储应用中，磁化强度的快速翻转是一个十分重要的指标。因此，磁性纳米结构的静态及动态特性成为人们重点研究的内容。
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Current induced magnetization switching by spin-orbit torques offers an energy-efficient means of writing information in heavy metal/ferromagnet (FM) multilayer systems. The relative contributions of
我们根据朗道-栗弗席兹-吉尔伯特(Landau-Lifshitz-Gilbert)方程，数值模拟了YIG铁磁纳米线中椭圆微波场和双频微波场驱动的畴壁运动。讨论了存在单轴各向异性情况下，畴壁运动速度和微波频率之间的关系。
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