【摘 要】
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通过选择合适的晶体切型利用谐振法只测量(yxl)-30℃切LaGaSiO晶片的相关参数就得到了LaGaSiO晶体较为准确的压电参数.其中LaGaSiO晶体的d和d分别为5.59×10C/N和-5.01×10C/N.(yxl)-30℃切LaGaSiO晶片具有较大的机电耦合系数k≈13﹪和较大的机械品质因数Q≈10000.
【机 构】
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山东大学物理与微电子学院(山东济南) 山东大学晶体材料国家重点实验室(山东济南)
【出 处】
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第五届中国功能材料及其应用学术会议
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通过选择合适的晶体切型利用谐振法只测量(yxl)-30℃切La<,3>Ga<,5>SiO<,14>晶片的相关参数就得到了La<,3>Ga<,5>SiO<,14>晶体较为准确的压电参数.其中La<,3>Ga<,5>SiO<,14>晶体的d<,11>和d<,14>分别为5.59×10<-12>C/N和-5.01×10<-12>C/N.(yxl)-30℃切La<,3>Ga<,5>SiO<,14>晶片具有较大的机电耦合系数k<,26>≈13﹪和较大的机械品质因数Q<,m>≈10000.
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