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本文介绍了1.55μm多量子阱(MQW)行波式半导体激光器的制备及其特性的测量.其测量结果,在注入脉冲电流条件下,内增益为25dB,饱和输出峰值功率为42mW.
我们研制的1.55μm MQW材料是采用InGaAs/InGaAsP/InP体系,在n-InP(001)面上用MOCVD方法生长.有源光波导采用梯度折射率分别限制异质结构(GRIN-SCH).阱层为In<,x>Ga<,1-x>As(宽为10μm),垒层为InGaAsP(宽为10μm).无应变量子阱层的x=0.53,放大器腔长为750μm.径～700℃闭管Zn扩散之后,在P-InP与n-InP表面分别蒸镀Cr-Au和Au-Ga-Ni合金电极.放大器的两个腔面用高频溅射镀敷SiN消反射介质膜,反射率为0.01℅.
在MQW行波光放大器的特性测量中,由于激光器和放大器是在注入脉冲电流条件下工作,这就要求激光器和放大器的注入电流、频率、相应必须同步.因此,我们用注入激光器的脉冲电源同时触发注入放大器的脉冲电流,以保证注入激光器电流和注入放大器的电流完全同步.测试用注入电脉冲的频率为10KHz,激光器注入电流脉宽一般取在1μs左右,放大器注入电源脉宽一般取在10μs.将放大了的信号光径探测器用锁相放大器进行测量.锁相放大器的参考信号与激光器和放大器的注入电脉冲必须保证同步状态.用带有锥半球微透镜的多模光纤对光放大器进行输出 输入耦合,耦合效率分别为80℅、40℅,当注入电流为300mA时,放大器内增益为25μB.