DX中心相关论文
研究分子束外延(MBE)生长的应变InGaAs/GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理(RTA)效应.结果表明,RTA移除了In......
本文在77 K下研究了调制掺杂 n-Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs异质结持久光电导的光谱响应.结果表明,掺 Cr GaAs衬底中Cr深能级上电子的......
本文给出DX中心为负U中心时所满足的统计规律。指出它与大量AlGaAs:Si的Hall实验不定量符合。为此我们提出,Si可能形成二种不同的......
用DLTS(深能级瞬态谱)及光照DLTS方法研究了不同组分(x=0.26、0.40、0.53)的 Al_xGa_(1-x)As:Sn材料。所有实验样品的DLTS谱都出现......
研究分子束外延(MBE)生长的应变InGaAs/GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理(RTA)效应.结果表明,RTA移除了In......
研究分子束外延 (MBE)生长的应变In0 .2 Ga0 .8As GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理 (RTA)效应 .结果表明......
采用定电容电压法,测量了n型Al0.26Ga0.74As∶Sn中DX中心电子热俘获瞬态,以及不同俘获时间后的电子热发射瞬态;并对瞬态数据进行数......
ＤＸ中心是一种则施主和缺陷构成的复合体，存在于ｎ型ＡｌＧａＡｓ等Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体之中，对ＤＸ中心的特点及其对器件的影响进行了分析，概述了弛豫模型和......
研究了ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的电子喇曼散射。根据晶格动力论。讨论了Ⅲ－Ⅴ合金半导体的ＤＸ中心物理起因。结果表明在ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ中存在施主双稳态特性，在低温下，光感应的......
本文提出了一种新的多能谷有效质量杂质电子态理论.它用导带中的Γ、X和L三个能谷的有效质量包络函数来描述杂质电子波函数,从而得......
本文给出DX中心为负U中心时所满足的统计规律。指出它与大量AlGaAs:Si的Hall实验不定量符合。为此我们提出,Si可能形成二种不同的......
用深能级瞬态谱(DLTS)方法研究了组分范围为x=0.11-0.95的掺Te的GaAs_(1-x)P_(?)混晶中的深能级.结果表明:样品中出现的深能级可分......
本文指出DX中心电容测量中边区的重要性,提出一种新的瞬态C-V方法,可以用来测量DX中心浓度、导带电子浓度和边区的空间电荷分布及......
