论文部分内容阅读
采用垂直布里奇曼法生长了磷化锗锌(ZnGeP2,简称ZGP)晶体,研究了近红外吸收特性。紫外-近红外光谱仪测试了该晶体上、中、下三个部位的透过率,系统地分析了晶体内缺陷密度和本征点缺陷对晶体近红外吸收的影响。同时从理论上计算了ZGP晶体施主缺陷GeZ+n和受主缺陷VZn-的吸收光谱,计算结果表明受主缺陷VZn-对ZGP晶体吸收光谱产生的影响大于施主缺陷GeZ+n。