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采用MBE方法，在Si(001)衬寸底上，以低、高温两步法生长的Ge薄膜为缓冲层，生长出了高质量的GeSn合金，并研究了GeSn合金的热稳定性。成功制作出硅基GeSn合金p-i-n型光电探测器，相关性能指标为目前国际上最好。
硅基GeSn合金光电探测器
【摘 要】
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采用MBE方法，在Si(001)衬寸底上，以低、高温两步法生长的Ge薄膜为缓冲层，生长出了高质量的GeSn合金，并研究了GeSn合金的热稳定性。成功制作出硅基GeSn合金p-i-n型光电探测器，相关性能指标为目前国际上最好。
【机 构】
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中国科学院半导体研究所，集成光电子学国家重点实验室，北京，100083
【出 处】
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2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会
【发表日期】
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2011年11期
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