【摘 要】
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硅基IV族半导体外延材料在高速微电子器件和光电子器件应用方面有着广泛的应用前景,制备这些器件的关键是外延材料的生长,先进的器件需要先进的材料,先进的材料需要先进的生
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室(杭州)
【出 处】
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第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
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硅基IV族半导体外延材料在高速微电子器件和光电子器件应用方面有着广泛的应用前景,制备这些器件的关键是外延材料的生长,先进的器件需要先进的材料,先进的材料需要先进的生长设备和生长技术.探索出低温外延生长工艺,发展自己特色的UHV/CVD低温外延技术.克服高温生长杂质外扩散严重,自掺杂严重的缺点,利用UHV/CVD低温外延技术在600℃低温下成功生长优质的亚微米硅外延层,外延层厚度0.2~1.0μm.并在此基础上,利用我们生长的材料制备出高频肖特基二极管的原型器件,器件的理想因子为1.5,反向击穿电压为16V,截止频率为31GHz,为高频器件的进一步研制打下了良好的基础.
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