金属有机化学汽相沉积相关论文
The optical properties of self-assembled InAs quantum dots (QDs) on GaAs substrate grown by metal-organic chemical vapor......
采用金属有机化学汽相沉积（MOCVD）设备在LiGaO2（100）衬底上制备了结晶性能良好的非极性ZnO薄膜。研究了衬底温度对ZnO薄膜结晶性能的影......
本文采用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法,首先使用NO混合气体作为氧源和掺氮源,在玻璃上生长了低阻p型ZnO薄膜,其最高的空穴浓度......
由金属有机化学汽相沉积(MOCVD)异质外延方法,成功获得晶体质量和光学质量优良的硅基ZnO宽带隙半导体薄膜(以下简称ZnO/Si);以GaN/......
本文设计了ＭＯＣＶＤ自动控制电路，该电路既能手动控制又能采用计算机进行自动控制．将该电路应用于ＭＯＣＶＤ系统，成功制备出ＴｉＯ２纳米级超细粉，在５００℃～１０００℃范围内，超......
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采用低压MOCVD技术生长了A lGaN/GaN、A lGaN/A lN等多种交替生长结构的半导体多层膜分布布拉格反射镜(DBR)。利用X射线衍射、扫描......
采用光辅助金属有机化学汽相沉积(PA-MOCVD)法在n-SiC(6H)衬底上制备出As掺杂的p型ZnO薄膜,并制备出相应的p-ZnO∶As/n-SiC异质结......
采用低压MOCVD技术生长了AlGaN／GaN、AlGaN／AlN等多种交替生长结构的半导体多层膜分布布拉格反射镜（DBR）。利用X射线衍射、扫描电子显......
德国LayTec公司和费迪南一布劳恩研究所提出了一项新型在线检测技术．通过减少晶片的弯曲来优化蓝光LED和激光二极管的外延生长。Lay......
本发明公开的实时掺氮生长P型氧化锌晶体薄膜的方法，是在金属有机化学汽相沉积过程中利用活化裂化高纯氮源气体产生氮原子进行实时......
采用光辅助金属有机化学汽相沉积（PA-MOCVD）法在n-SiC（6H）衬底上制备出As掺杂的p型ZnO薄膜,并制备出相应的p-ZnO∶As/n-SiC异质结器件......
氧化锌(ZnO)是一种直接宽带隙化合物半导体材料,其室温禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,高于室温热能26meV,也远高于其它半导......
O484.1 99031779射频溅射-热处理法研制SnO<sub>2</sub>薄膜=Study of theSnO<sub>2</sub> thin-film prepared by RF-sputteringa......
采用金属有机化学汽相沉积生长法(MOCVD),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在GaAs衬底上生长出了ZnO薄膜.随着化学腐蚀条件......
考虑ZnO优秀的物理和化学性能以及由于生长温度低而具有更低的缺陷密度从而易于实现高的光电器件效率等特点，本文采用射频磁控溅射......
