1836年,Talbot发现当用白光照射周期性物体时,在物体后面特定位置处会呈现出此物体的像(2).Talbot成像是一种无透镜系统的光栅自成像,可以用菲涅尔近场衍射理论解释(3).自成像所得场强的分布与周期性光栅的透过率函数有关.我们应用PPLN电光效应,可将PPLN晶体制成周期性相位光栅,通过调制外加电场的大小,可在不同Talbot距离处得到不同场强分布的光栅自成像图样.由于极化后的铌酸锂晶体铁电畴的周期性反转使晶体的非线性系数得到了周期性的调制(1),当外加电场沿着PPLN晶体Z方向,由于铌酸锂晶体的电光效应,晶体对不同偏振的折射率会发生变化,又由于PPLN晶体铁电畴的周期性反转,正畴与负畴的折射率发生正负不同的变化,当HE-NE激光器产生的入射光偏振平行于Z方向,传播沿着Y方向照射PPLN时,出射光在正畴与负畴间经过不同的相位变化,通过调节电压可以改变相位差的大小,从而得到不同场强分布的Talbot像.我们在理论模拟和实验上成功实现了基于一维周期性极化铌酸锂(PPLN)电光效应的可调节Talbot光学阵列.通过连续调节成像面与PPLN之间的距离,可观测到周期性改变的不同Talbot距离处的自成像；而随着外加电场的不断增大,每个畴的自成像光强分布逐渐向中心靠拢.实验所采用的PPLN晶体是通过室温电场极化Z向切割铌酸锂晶体制得,晶体尺寸为15mm(x)×5 mm (y)×0.5 mm (z),周期为19.43m,电极的占空比为0.5.我们模拟并实验记录了电场强度为1700 v/mm时四种不同位置处和1.75倍Talbot距离处四种不同电压下的Talbot自成像图样,实验所得图形与理论模拟吻合.我们同样记录了在特定电压和位置下,自成像周期翻倍的图像.