【摘 要】
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Ge 表面具有高的表面态，当Ge与金属接触时存在强烈的费米钉扎效应，电子的势垒高度被钉扎在0.6eV 附近，严重影响器件的性能.我们研究了TaN 薄膜与Ge 接触界面特性，发现薄的TaN可有效减轻费米钉扎效应，降低金属与n-Ge 接触的势垒高度.基于势垒高度的调制，制备出具有较低接触电阻的Al/TaN 与n-Ge 的欧姆接触.最后，将Al/TaN 叠层电极结构用于Si基Ge PIN 探测器，其暗电
【机 构】
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厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,福建省厦门市 361005
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Ge 表面具有高的表面态，当Ge与金属接触时存在强烈的费米钉扎效应，电子的势垒高度被钉扎在0.6eV 附近，严重影响器件的性能.我们研究了TaN 薄膜与Ge 接触界面特性，发现薄的TaN可有效减轻费米钉扎效应，降低金属与n-Ge 接触的势垒高度.基于势垒高度的调制，制备出具有较低接触电阻的Al/TaN 与n-Ge 的欧姆接触.最后，将Al/TaN 叠层电极结构用于Si基Ge PIN 探测器，其暗电流、响应度以及响应带宽等参数均有较大程度的提高.
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结合应力弛豫模型中的硬化机制,设计了组分梯度渐变的AlyGa1-x-yInxAs 缓冲层结构,并采用低压金属有机物化学气相沉积技术在7o偏角(001)GaAs衬底上以AlyGa1-x-yInxAs作缓冲层制备In0.27Ga0.73As(1.05eV)太阳电池材料.采用原子力显微镜、高分辨X射线衍射仪和透射电镜对晶格失配的In0.27Ga0.73As材料的性质进行了表征,结果显示In0.27Ga0
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