【摘 要】
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结合应力弛豫模型中的硬化机制,设计了组分梯度渐变的AlyGa1-x-yInxAs 缓冲层结构,并采用低压金属有机物化学气相沉积技术在7o偏角(001)GaAs衬底上以AlyGa1-x-yInxAs作缓冲层制备In0.27Ga0.73As(1.05eV)太阳电池材料.采用原子力显微镜、高分辨X射线衍射仪和透射电镜对晶格失配的In0.27Ga0.73As材料的性质进行了表征,结果显示In0.27Ga0
【机 构】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学院纳米器件与应用重点实验室,215123,苏州,江苏
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结合应力弛豫模型中的硬化机制,设计了组分梯度渐变的AlyGa1-x-yInxAs 缓冲层结构,并采用低压金属有机物化学气相沉积技术在7o偏角(001)GaAs衬底上以AlyGa1-x-yInxAs作缓冲层制备In0.27Ga0.73As(1.05eV)太阳电池材料.采用原子力显微镜、高分辨X射线衍射仪和透射电镜对晶格失配的In0.27Ga0.73As材料的性质进行了表征,结果显示In0.27Ga0.73As外延层的表面粗糙度约为5nm,沿[110]与[-110]方向的晶格失配应变接近完全弛豫,且In0.27Ga0.73As中的穿透位错密度低于1×106cm-2.采用该缓冲层结构在GaAs衬底上研制的In0.27Ga0.73As单结太阳电池外量子效率达92％,在AM0光谱下的开路电压达0.63V,进一步证明采用组分梯度渐变AlyGa1-x-yInxAs缓冲层结构可以制备高质量的In0.27Ga0.73As晶格失配材料.
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用水热合成法在多孔硅衬底上生长了ZnO纳米结构,制备了ZnO纳米结构/多孔硅复合体系,研究了其结构、形貌以及发光性质.X 射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)测量表明,多孔硅衬底上生长的ZnO纳米结构为多晶六方结构.室温下光致发光光谱(PL)显示,ZnO纳米结构/多孔硅复合结构在可见光区具有很强的光致发光现象,多孔硅的橙红光与ZnO的发光叠加在一起,产生白光发射.
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本文利用光荧光(PL)和拉曼(Raman)研究了Ge衬底上生长的掺硅GaInP 的光学性质.实验发现,1.4Ev处的宽发光峰的强度与是否掺硅有关,我们认为它由[Ge(Ga,In)-V(Ga,In)]络合物引起.同时,Raman 光谱证实掺硅GaInP 中存在[Ge(Ga,In)-Si(Ga,In)]络合物.[Ge(Ga,In)-V(Ga,In)]与[Ge(Ga,In)-Si(Ga,In)]络合物之
单斜三氧化二镓和铅锌矿氮化镓异质结是用热氧化的方法长在蓝宝石衬底上的.用X射线衍射设备分析单斜三氧化二镓是外延生长在氮化镓上的.单斜三氧化二镓和铅锌矿氮化镓异质结的价带帯阶是用X射线光电子能谱来测量的.价带帯阶是1.4eV±0.2eV.
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