【摘 要】
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对GDARE法制备的ZnO薄膜样品进行不同热处理时间的压敏特性、交流阻抗谱测试,结果表明不同的热处理时间对薄膜的I-V非线性特性有重要影响,热处理时间延长,薄膜晶界电阻不断下降.文章讨论了薄膜晶界处吸附气体电荷浓度对晶界处形成的势垒高度的影响.建立不同热处理时间下ZnO压敏薄膜晶界势垒模型,得出热处理时间对ZnO薄膜晶界效应的影响机理.
【机 构】
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华尔理工大学理学院,上海 200237
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对GDARE法制备的ZnO薄膜样品进行不同热处理时间的压敏特性、交流阻抗谱测试,结果表明不同的热处理时间对薄膜的I-V非线性特性有重要影响,热处理时间延长,薄膜晶界电阻不断下降.文章讨论了薄膜晶界处吸附气体电荷浓度对晶界处形成的势垒高度的影响.建立不同热处理时间下ZnO压敏薄膜晶界势垒模型,得出热处理时间对ZnO薄膜晶界效应的影响机理.
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