新型AIE-TADF蓝光材料及其器件研究

来源 :2021光电子材料与器件发展论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liuw_ei
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  热激活延迟荧光材料(TADF)作为第三代有机电致发光材料,具有100%的内量子效率、不掺杂重金属等优点,避免了普通荧光材料和磷光材料的不足,被认为是最具竞争力的有机发光材料,在OLEDs 领域有着广阔的应用前景。
其他文献
二维材料单胞中原子数目不多且比表面积很大,电子波函数常常裸漏在材料的表面,弱的非化学键相互作用可以调控甚至决定材料的性质。电子波函数的表面局域化使得低维材料异质结中各层的量子态通过层间相互作用耦合交叠,表现出许多单层中不存在的物理特性,并为我们提供界面调控这一独特的物性手段。
会议
p型Ⅰ-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ 族直接带隙半导体化合物铜锌锡硫硒(Cu2ZnSn(S,Se)4,CZTSSe),因其所含元素地壳储量丰富、光学带隙在1.0~1.5 eV范围可调且光吸收系数可达105 cm-1等优点被视为较理想的光敏材料,成为了当前该领域的研究热点.
会议
通过测量量子效率(QE/IPCE),结合已知的标准太阳谱,例如AM1.5G,可以算出太阳电池全光谱下的短路电流密度Jsc.一般认为,这样导出的Jsc,应该与Ⅳ 测试的Jsc结果 相符,或者说完全相等.
不同于传统光学制造仅关注面形精度和表面粗糙度指标,强光光学元件在全空间频域都有严苛的要求,此外还必须控制与激光损伤相关的表面/亚表面极端完整性要求,给光学制造技术带来了巨大的挑战,但同时也促进了光学超精密制造技术的发展,报告主要讲述近几年上海光机所在强光光学元件超精密制造理论、工艺、技术及装备方面取得的技术进展和应用。
会议
GeSn is an important Si based semiconductor material.In 2015 it has been reported that a Si-based opticalpumping lasing achieved from a direct-band-gap GeSn alloy1.
会议
由于二维平面内载流子的独特性质,二维材料结构引起了人们的广泛关注。各种结构已被制备用于高性能光电器件。通过范德瓦尔斯力,可以实现不同二维材料的垂直堆叠形成垂直异质结,进而改变他们的电子,光学性能。
会议
我们通过自主研制透射电镜中的扫描探针技术,发展原位透射电子显微学方法,实时成像动态物理和化学现象的原子过程,实现了功能材料性质-结构关系的原子尺度表征与调控。
会议
太阳能电池可将太阳能直接转变为电能,是一种重要的获取清洁能源的途径,在未来能源利用中将占据重要地位。光伏发电成本依赖于太阳能电池的光电转换效率(或简称"效率"),实现更低成本、更高效率的太阳能电池是实现平价电网目标的最关键课题。
会议
太赫兹(Terahertz,THz)量子阱探测器(Quantum Well Photodetector,QWP)的响应频率范围可覆盖2~7 THz.基于子带间跃迁的THz QWP 具有体积小、易集成、响应率高、响应速度快等优点,是THz 超快、高灵敏度探测领域的一种极有竞争力的光子型探测器.
二维半导体与传统半导体相比有很多独特的性质,其电子性质包括原子水平的极薄二维电子系统、很大的激子束缚能、很强的Rashba 相互作用、二维铁电性等,相应的光学性质与光电流有很好的应用前景。
会议