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N离子注入ZnO薄膜中的缺陷磁性研究
N离子注入ZnO薄膜中的缺陷磁性研究
来源 :第十三届全国正电子谱学会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hellring
【摘 要】
:
我们在N离子注入的ZnO薄膜中观察到了室温铁磁性,通过退火效应研究分析了其微观结构与磁性表现间的关联,表明样品中的铁磁性与Zn空位相关的缺陷复合态有关。
【作 者】
:
徐菊萍
李强
刘建党
叶邦角
【机 构】
:
核探测与核电子学国家重点实验室,中国科学技术大学,合肥,230026;中国科学技术大学近代物理系,合肥,230026东莞中子科学中心,中国科学院高能物理研究所,东莞,523803
【出 处】
:
第十三届全国正电子谱学会议
【发表日期】
:
2016年8期
【关键词】
:
氧化锌
稀磁半导体
N离子注入
缺陷磁性
正电子湮没
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我们在N离子注入的ZnO薄膜中观察到了室温铁磁性,通过退火效应研究分析了其微观结构与磁性表现间的关联,表明样品中的铁磁性与Zn空位相关的缺陷复合态有关。
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