一种高可靠的砷化镓单片DPDT射频开关

来源 :2001全国微波毫米波会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ilytotti

【摘要】

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采用砷化镓离子注入技术研制出的DPDT(双刀双掷)单片射频开关,采用塑封技术,成功地通过了高温工作寿命,抗静电(ESD),高压蒸汽(PCT),温度循环,射频功率下的漏电等试验.寿命试

【作者】

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李拂晓;蒋幼泉;徐中仓;钮利荣;邵凯;杨乃彬;

【机构】

：

南京电子器件研究所

【出处】

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2001全国微波毫米波会议

【发表日期】

：

2001年期

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采用砷化镓离子注入技术研制出的DPDT(双刀双掷)单片射频开关,采用塑封技术,成功地通过了高温工作寿命,抗静电(ESD),高压蒸汽(PCT),温度循环,射频功率下的漏电等试验.寿命试验表明该塑封单片电路MTTF已达6.29×10<6>器件小时,(150℃环境温度)比目前国内研制开发的同类型单片寿命提高一个量级,是国内第一只通过国际质量标准的塑封砷化镓单片射频开关.

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