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本文尝试采用真空法复合g-C3N4和TiO2这两种半导体来制备更高性能的光催化材料。并通过XRD，FT-IR，DRS，EA证明了制备的催化剂中g-C3N4以很高的聚合度存在，TEM也展现出g-C3N4的完美层状结构。以AO7为模型污染物来表征催化剂的可见及紫外光活性，其在不同的光源下都获得了很高的光催化活性，证明g-C3N4不仅能提高催化剂对可见光的响应能力，其共轭聚合物结构还能够有效促进电子-空穴的分离，从而大幅提升了催化剂的光催化性能。