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<正>引言从1975年美国IR公司推出VVMOS(vertical vgrooveMOSFET)以来,功率MOSFET得到快速发展,已成为中小功率应用领域的主流功率半导体开关器件。功率MOSFET一直沿着结构优化、创新结构和宽禁带半导体材料三个方向发展,将器件性能推向更高电压应用范围、更低导通损耗、更高工作频率和更高可靠工作。