高性能PWM芯片输出控制T触发器的研究设计

来源 :第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:luowencheng7758258
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  研究设计了一款控制PWM输出的双极型上升沿T触发器。该触发器未采用传统双非门锁存结构,而通过内部电平控制实现对信号的锁存。芯片设计采用双极器件工艺,而非BiCMOS工艺,工艺实现简单。与TTL电路相比,该触发器所需晶体管少,且陛能稳定,延迟时间短。仿真结果表明,该触发器完全满足PWM输出控制的要求,并已经运用到DC-DCPWM芯片设计中,大幅提升了系统芯片的整体性能。
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