超导直流电网在我国应用前景分析

来源 :第十二届全国超导学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:moon818882003
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随着化石能源的日益枯竭,中国已将发展可再生能源提升至重要地位,并逐步实现能源结构的战略性调整.分析可再生能源发电的间歇性与不稳定性特点,以及可再生能源发电集中并网带来的稳定性问题,提出通过建设广域覆盖的超导直流电网以有效解决可再生能源集中并网的有功波动问题.建设全国性的直流骨干输电网,不仅可更有效地利用可再生能源,也将积极推动坚强智能电网的建设.
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本文利用自组织生长技术通过MOCVD对Ge衬底上生长高质量InAs/GaAs量子点结构进行研究.通过AFM,TEM和PL研究表明,利用AlGaAs插入层技术不但有助于消除GaAs在Ge上外延时形成的反相畴及界面扩散问题,而且Al组分的含量也可以影响量子点的成核生长,提高材料的晶体性能,获得发光特性较好的均匀InAs量子点结构.
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在利用MOCVD技术生长薄膜材料的过程中,气流的稳定性一直是影响薄膜质量的重要因素.因此,本文对于基座旋转速度以及衬底托盘高度在多大程度上影响反应室内气流稳定这一问题,进行了模拟分析.本文中的反应室结构如图1.对于基座旋转速度,我们分别将模拟数值设定为0rmp、50rmp、150rmp、500rmp、700rmp和1000rmp.
会议
MOCVD作为化合物半导体外延的基础核心设备,实现国产化具有重要意义,近两年我国国产MOCVD设备技术发展较快,得到了应用验证.在LED结构材料中,作为有源区,量子阱(MQW)的质量是是LED性能的关键参数,量子阱的生长对设备的一些重要性能指标,如温度、气流控制等方面要求较高,这些精细结构的质量体现了设备的性能.
会议
GaSb作为直接带隙窄禁带半导体材料,且兼具载流子迁移率高,空穴有效质量小等优点,近年来随着高速晶体管、光纤通讯和高效光伏电池等领域研究深入开展而受到愈来愈多的关注.与此同时,Si上外延生长GaSb加工多种光电器件并与可其他硅基半导体器件一体化集成,而且Si材料兼具有高质量、高机械强度、大尺寸及价格低廉等优势,因此Si上外延生长GaSb成为目前科研研究热点[1-3].
会议
我们完成了220kW300MVA饱和铁心型超导限流器的设计、制造,并成功实现了挂网运行.这台限流器由直流励磁、电抗、冷却及监控保护四个主要子系统组成.其中直流励磁子系统包括超导绕组、电源、快速开关、电压钳制和能量释放回路等,功能是实现对铁心有控制的励磁和退磁;电抗子系统包括铁心、交流绕组和油箱等,是实现限流器的通流/限流功能的主要部件;冷却子系统包括超导绕组杜瓦、液氮储槽、抽气泵和汽化器等,作用是
会议
本文采用射频磁控溅射方法在单晶YSZ上沉积高温超导涂层导体CeO2缓冲层,通过原子力显微镜(AFM)对薄膜表面形貌进行表征,发现其随沉积参数(溅射气压,射频功率)出现明显的演化规律,缓冲层表面可呈现平整结构、纳米颗粒结构或相互垂直的拉长岛状结构.X射线衍射(XRD)测量揭示了薄膜应变状态与表面形貌的演化存在很强的相关性.
会议
基于超导体的零电阻特性和状态转变特性发展起来的电阻型超导限流器,是一项具有很强实用价值和应用前景的前沿技术,是当今超导电力技术最活跃的研究领域之一,主要涉及二代高温超导带材特性、大型无感线圈技术、低温高电压绝缘技术以及低温制冷技术等.
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本文对50MVA高温超导变压器进行了概念设计,第二代高温超带材YBCO有较高的传输载流能力,较小的交流损耗.超导绕组采用此带材绕制,高压绕组为螺旋式结构,低压绕组采用饼式结构,低温杜瓦将绕组运行的低温环境与外界室温环境隔离;低温制冷系统保证了HTS变压器安全运行的可靠性.
会议
金属有机化学气相沉积法(MOCVD)能够在长的柔性金属基带上连续、快速、均匀沉积第二代YBa2Cu3O7-δ(YBCO)涂层导体,因而极具开发价值.MOCVD制备YBCO涂层导体的关键技术之一在于金属有机源(MO)的制备.国外化学试剂公司在以2,2,6,6-4甲基-3,5庚二酮(thd)为配体的MO源上技术较为成熟,并已实现商业化生产,但是价格昂贵,其中Ba(thd)2价格约为700元/g.另外,
会议
聚变装置的纵场超导磁体系统日常运行始终处于大电流高储能稳态运行模式.一旦发生失超,其储存的能量如果不能安全快速引出,将会造成磁体局部过热和过高电压,严重时会破坏超导磁体内部结构,同时其过程造成氦压迅速上升,也会给低温系统带来很大的压力.
会议